Omron présente un relais MOS FET haute température pour cartes compactes
Le relais MOS FET G3VM S-VSON(L) d'Omron offre des performances de température améliorées jusqu'à 125 °C, permettant des cartes plus denses et une efficacité accrue pour les semi-conducteurs et les équipements de test.
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Omron Electronic Components Europe a lancé le relais MOSFET G3VM S-VSON(L), conçu pour les équipements de test des semi-conducteurs, les équipements de communication, ainsi que de mesure et de test. Ce relais reste opérationnel jusqu’à 125 ˚C, ce qui est supérieur aux versions précédentes qui étaient limitées à 110 ˚C. Ce relais MOSFET emploie une tension d’activation, ce qui élimine le processus de sélection de la résistance du côté entrée, tout en libérant de l’espace sur la carte.
Alors que les applications sont de plus en plus compactes et complexes, il devient nécessaire d’installer toujours plus de composants sur les cartes. Toutefois, chaque composant électronique génère de la chaleur, ce qui risque d’avoir un impact sur l’efficacité et la fiabilité. Les performances thermiques accrues des relais G3VM créent les conditions nécessaires à la conception de cartes plus denses. En pratique, cela permet de réaliser davantage de tests simultanés plus rapidement.
Les performances thermiques accrues ouvrent également la voie à des conceptions plus compactes, car le G3VM tolère une plus grande dissipation thermique sans perdre en efficacité. Ce relais ne pèse que 0,1 g et mesure seulement 2,0 (L) x 1,45 (P) x 1,3 mm (H). Le G3VM S-VSON(L) se décline en quatre variantes avec des courants d’entrée directs allant de 0,54 à 6,6 mA, et des courants de charge continue allant de 0,4 à 1,5 A.
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