Les modèles SPICE niveau 3 améliorent la vitesse de simulation
Selon Rohm, les modèles L3 pour MOSFET SiC de 4ᵉ génération peuvent réduire le temps de simulation de 50 % tout en assurant le niveau de précision et de stabilité requis.
www.rohm.com
Les modèles peuvent être téléchargés à partir de la section Models & Tools sur les pages individuelles des produits MOSFET SiC de 4e génération
Rohm a annoncé la publication de nouveaux modèles SPICE de niveau 3 (L3) qui visent à offrir une amélioration de la convergence et des capacités de simulation plus rapides.
La précision de la simulation lors de la phase de conception est essentielle en raison de l’impact important des pertes des semiconducteurs de puissance sur l’efficience globale d’un système électronique. Les premiers modèles SPICE de niveau 1 de Rohm pour les MOSFET SiC répondaient à ce besoin en reproduisant précisément les caractéristiques du dispositif électronique. Toutefois, des problèmatiques liées notamment à la convergence des simulations et à des temps de calcul prolongés ont mis en lumière la nécessité de procéder à des ajustements.
Rohm indique que les nouveaux modèles L3 mettent en oeuvre une approche simplifiée qui maintient à la fois la stabilité de calcul et la précision des formes d’ondes de commutation tout en réduisant le temps de simulation d’environ 50 % par rapport aux modèles L1. Cela permet une analyse transitoire avec la précision requise de l’ensemble des circuits à une vitesse nettement plus rapide. Ce qui simplifie le processus d’évaluation des dispositifs électroniques et des pertes lors de la phase de conception de l’application.
Depuis avril 2025, Rohm a publié 37 modèles L3 pour ses MOSFET SiC de 4e génération, disponibles au téléchargement directement à partir de la section Models & Tools de chaque page produit. Les modèles L1 continueront d’être proposés parallèlement aux nouvelles versions. Un livre blanc est également disponible pour faciliter l’adoption du modèle.
Informations connexes
