LE NOUVEAU BOÎTIER POUR MOSFET DE PUISSANCE VISE À RÉDUIRE LES PERTES
Le nouveau boîtier SOP Advance(E) des MOSFET de puissance de Toshiba permet de réduire la résistance à l'état passant et la résistance thermique afin d'améliorer l'efficacité des équipements industriels.
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Toshiba Electronics Europe propose deux nouveaux MOSFET de puissance à canal N : le modèle TPM1R908QM de 80 V et le modèle TPM7R10CQ5 de 150 V. Ces circuits intégrés adoptent le boîtier SOP Advance(E) de Toshiba, conçu pour améliorer de manière significative les performances des alimentations à découpage destinées aux équipements industriels tels que les centres de données et les stations de base de communication.
Le nouveau boîtier SOP Advance(E) représente, selon Toshiba, une amélioration substantielle par rapport au boîtier SOP Advance(N) existant, réduisant sa résistance d'environ 65 % et sa résistance thermique d'environ 15 %. Ces bénéfices en termes d’encapsulation se traduisent par des performances supérieures des composants.
Le circuit TPM1R908QM 80 V présente une réduction de la résistance drain-source à l'état passant (RDS(ON)) d'environ 21 % et de la résistance thermique canal-boîtier (Rth(ch-c)) d'environ 15 % par rapport au circuit TPH2R408QM, de même tension nominale. De plus, le modèle TPM7R10CQ5 150 V présente une réduction de la résistance drain-source à l'état passant (RDS(ON)) d'environ 21 % et de la résistance thermique canal-boîtier (Rth(ch-c)) d'environ 15 % par rapport au circuit TPH9R00CQ5 actuel de Toshiba, également à la même tension. Le circuit intégré TPM7R10CQ5 est équipé d'une diode de corps à haute vitesse pour fournir une efficacité accrue en redressement synchrone.
Toshiba rappelle que la réduction de la résistance à l'état passant et la limitation de l'échauffement grâce à une meilleure résistance thermique contribuent à une résistance à l'état passant globale plus faible, même en tenant compte des caractéristiques de température positives. Cette combinaison vise à diminuer drastiquement les pertes et améliorer l'efficacité dans les applications telles que les alimentations à découpage pour équipements industriels, notamment celles alimentant les centres de données et les stations de base des communications.
Le circuit TPM1R908QM affiche une tension drain-source (VDSS) de 80 V, un courant de drain (ID) de 238 A (Tc = 25 °C) et une résistance de charge (RDS) maximale de 1,9 mΩ (VGS = 10 V). Le circuit TPM7R10CQ5 affiche une tension drain-source (VDSS) de 150 V, un ID de 120 A (Tc = 25 °C) et une résistance de charge (RDS) maximale de 7,1 mΩ (VGS = 10 V). Les deux composants présentent une température de canal (Tch) de 175 °C et une Rth(ch-c) maximale de 0,6 °C/W (Tc = 25 °C). Le boîtier SOP Advance(E) mesure généralement 4,9 mm × 6,1 mm.
Pour une meilleure prise en charge de la conception des circuits d'alimentation à découpage, Toshiba propose également un modèle SPICE G0 pour une vérification du fonctionnement des circuits, ainsi que des modèles SPICE G2 qui reproduisent avec précision les caractéristiques transitoires.
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