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Les MOSFET SiC 650 V se logent dans un boîtier compact
Toshiba Electronics Europe annonce le lancement de trois nouveaux MOSFET 650 V en carbure de silicium (SiC), intégrant ses toutes dernières puces MOSFET SiC de 3ème génération.
www.global.toshiba
Les MOSFET 650 V en carbure de silicium (SiC) des séries TW027U65C, TW048U65C et TW083U65C sont logés dans un boîtier TOLL (Transistor Outline, Leadless) à montage en surface. Ils sont conçus pour réduire les pertes de commutation dans les équipements industriels. Ils conviennent à une large gamme d'applications d'alimentation exigeantes, notamment des alimentations à découpage (switched-mode power supplies, SMPS) des serveurs, des centres de données et des équipements de communication, des onduleurs (uninterruptible power supplies, UPS), des bornes de recharge pour véhicules électriques et des conditionneurs d'énergie pour onduleurs photovoltaïques (PV).
Comparés aux boîtiers à broches, tels que le TO-247 et le TO-247-4L(X), ces nouveaux composants se distinguent, selon leur fabricant, par un volume réduit de plus de 80 %. Cette miniaturisation contribue à l'amélioration de la densité de puissance des équipements. De plus, la possibilité de montage en surface du boîtier TOLL permet l'utilisation de composants à impédance parasite plus faible, notamment des résistances et des inductances. Ce qui entraîne une réduction des pertes de commutation.
Le boîtier TOLL comprend 9 broches et 4 bornes. Il est conçu pour faciliter l'utilisation d'une connexion Kelvin pour la borne source du signal de commande de grille. Cette conception minimise l'effet de l'inductance du fil source à l'intérieur du boîtier, permettant ainsi d'atteindre des performances de commutation à grande vitesse. Par exemple, le Mosfet de la série TW048U65C affiche une perte réduite d'environ 55 % au passage à l'état passant (Eon) et de 25 % au passage à l'état bloqué (Eoff) par rapport au produit équivalent de Toshiba utilisant le boîtier TO-247 sans connexion Kelvin. Cette amélioration contribue directement à la réduction des pertes de puissance des équipements.
Les MOSFET SiC de 3ème génération de Toshiba se caractérisent par un rapport optimisé entre la résistance de dérive et la résistance de canal. Ce qui permet une bonne dépendance en température de la résistance drain-source à l'état passant (RDS(on)) dans une large plage de conditions de fonctionnement. Ils présentent également une faible valeur RDS(on) x charge grille-drain (Qgd), un facteur de mérite (FOM) qui améliore leurs performances. Tous les modèles affichent une tension drain-source maximale absolue (VDSS) de 650 V et une plage de tension grille-source (VGSS) allant de -10 V à 25 V. Ce qui permet la compatibilité avec divers circuits de commande de grille et simplifie la conception des circuits. La tension de seuil de grille (Vth) de ces composants est généralement comprise entre 3,0 V et 5,0 V. Ce qui qui vise également à simplifier la conception des circuits. De plus, le courant de drain (ID) élevé garantit, selon le fabricant japonais, un fonctionnement robuste dans des conditions exigeantes, améliorant ainsi la fiabilité du système.
Comparés aux boîtiers à broches, tels que le TO-247 et le TO-247-4L(X), ces nouveaux composants se distinguent, selon leur fabricant, par un volume réduit de plus de 80 %. Cette miniaturisation contribue à l'amélioration de la densité de puissance des équipements. De plus, la possibilité de montage en surface du boîtier TOLL permet l'utilisation de composants à impédance parasite plus faible, notamment des résistances et des inductances. Ce qui entraîne une réduction des pertes de commutation.
Le boîtier TOLL comprend 9 broches et 4 bornes. Il est conçu pour faciliter l'utilisation d'une connexion Kelvin pour la borne source du signal de commande de grille. Cette conception minimise l'effet de l'inductance du fil source à l'intérieur du boîtier, permettant ainsi d'atteindre des performances de commutation à grande vitesse. Par exemple, le Mosfet de la série TW048U65C affiche une perte réduite d'environ 55 % au passage à l'état passant (Eon) et de 25 % au passage à l'état bloqué (Eoff) par rapport au produit équivalent de Toshiba utilisant le boîtier TO-247 sans connexion Kelvin. Cette amélioration contribue directement à la réduction des pertes de puissance des équipements.
Les MOSFET SiC de 3ème génération de Toshiba se caractérisent par un rapport optimisé entre la résistance de dérive et la résistance de canal. Ce qui permet une bonne dépendance en température de la résistance drain-source à l'état passant (RDS(on)) dans une large plage de conditions de fonctionnement. Ils présentent également une faible valeur RDS(on) x charge grille-drain (Qgd), un facteur de mérite (FOM) qui améliore leurs performances. Tous les modèles affichent une tension drain-source maximale absolue (VDSS) de 650 V et une plage de tension grille-source (VGSS) allant de -10 V à 25 V. Ce qui permet la compatibilité avec divers circuits de commande de grille et simplifie la conception des circuits. La tension de seuil de grille (Vth) de ces composants est généralement comprise entre 3,0 V et 5,0 V. Ce qui qui vise également à simplifier la conception des circuits. De plus, le courant de drain (ID) élevé garantit, selon le fabricant japonais, un fonctionnement robuste dans des conditions exigeantes, améliorant ainsi la fiabilité du système.
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