Les MOSFET automobiles s'intègrent dans des boîtiers compacts à flancs mouillables

Les systèmes électroniques automobiles nécessitent une densité de composants toujours plus élevée tout en maintenant la fiabilité et la fabricabilité conformes aux normes de qualification du secteur automobile. Dans ce contexte, Toshiba Electronics Europe a présenté cinq MOSFET automobiles  intégrés dans un boîtier DFN2020B avec flancs mouillables afin de faciliter la miniaturisation et les processus d’inspection automatisés.

Une conception de boîtier adaptée à l’inspection automatisée en production
Les nouveaux composants N-canal (XSM6K361NW, XSM6K519NW, XSM6K376NW, XSM6K336NW) ainsi que le MOSFET P-canal XSM6J372NW utilisent le boîtier DFN2020B(WF), qui intègre une structure à flancs mouillables améliorant l’inspection des joints de soudure lors de l’assemblage.

La conception du boîtier améliore la mouillabilité des soudures par rapport au boîtier UDFN6B de Toshiba et augmente la visibilité des cordons de soudure, permettant aux systèmes d’inspection optique automatisée (AOI) de vérifier plus efficacement la qualité des soudures. Des essais mécaniques ont également montré une résistance au cisaillement des soudures environ 23 % supérieure à celle du boîtier SOT-23F, contribuant à améliorer la robustesse de l’assemblage.

Réduction des dimensions pour l’électronique automobile à forte densité
Avec des dimensions typiques de 2,0 mm × 2,0 mm × 0,6 mm, le boîtier DFN2020B(WF) permet de réduire la surface de montage d’environ 43 % et la hauteur du composant d’environ 25 % par rapport au boîtier SOT-23F (2,4 mm × 2,9 mm × 0,8 mm).

Ces réductions favorisent la miniaturisation continue des modules électroniques automobiles, où les contraintes d’espace sur les circuits imprimés restent un facteur clé de conception, notamment dans les architectures de contrôle distribuées.

Dissipation de puissance dans des formats MOSFET compacts
Malgré leur taille réduite, ces composants conservent une capacité de dissipation thermique relativement élevée. Par exemple, le XSM6K361NW offre une puissance de dissipation maximale de 1,84 W, contre 1,2 W pour le SSM3K361R en boîtier SOT-23F.

Cela permet l’utilisation de ces composants dans des applications nécessitant des dispositifs de commutation compacts à forte puissance, notamment les convertisseurs DC-DC dans les unités de commande électroniques (ECU) et les circuits de commutation de charge pour les systèmes d’éclairage LED.

Qualification automobile et perspectives d’évolution
Ces MOSFET sont conformes aux exigences de fiabilité automobile AEC-Q101 et respectent le Production Part Approval Process (PPAP) défini par la norme de management de la qualité automobile IATF 16949.

Toshiba prévoit également d’élargir sa gamme de MOSFET basée sur le boîtier DFN2020B(WF), notamment avec de futurs MOSFET 2-en-1 destinés aux applications automobiles.

Édité, avec assistance de l’IA, par la journaliste industrielle Aishwarya Mambet.

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