Toshiba élargit encore sa gamme de MOSFET super jonction avec 4 nouveaux dispositifs 650 V

Performances en hausse et pertes réduites améliorent le rendement des alimentations électriques.

Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») vient d’ajouter 4 nouveaux MOSFET de puissance super jonction canal N 650 V à sa série DTMOSVI. Ces nouveaux dispositifs s'appuient sur le succès commercial des dispositifs actuels, et sont notamment destinés aux alimentations industrielles et d'éclairage, ainsi qu’à toute application nécessitant un rendement record dans petit format type.

Les nouveaux MOSFET TK090E65Z, TK110E65Z, TK155E65Z et TK190E65Z réduisent de 40% le facteur de mérite (FoM) « Résistance drain-source à l’état passant (RDS(ON)) x charge grille-drain (Qgd) » par rapport à la génération DTMOS précédente. Cela se traduira par une diminution substantielle des pertes de commutation par rapport aux dispositifs antérieurs. Par conséquent, les conceptions intégrant ces nouveaux dispositifs profiteront d’un rendement amélioré. L'amélioration des performances s'appliquera aussi bien aux nouvelles conceptions, qu'aux mises à niveau de conceptions existantes.

Les quatre nouveaux dispositifs offrent une tension drain-source (VDS) de 650 V avec un courant de drain (ID) pouvant atteindre 30 A. La résistance drain-source à l'état passant (RDS(ON)) n’est que de 0,09 , et la charge grille-drain (Qgd) descend à 7,1 nC, ce qui permet un fonctionnement à faible perte aux fréquences élevées. Tous ces dispositifs sont conditionnés en boîtiers traversants TO-220 à la norme du marché.

Toshiba va continuer d'élargir sa gamme de produits pour répondre aux tendances du marché et pour améliorer le rendement des alimentations.

Pour plus d'informations, rendez-vous sur : https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/product/mosfets/400v-900v-mosfets/articles/state-of-the-art-super-junction-mosfet-dtmos6.html

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