Toshiba annonce un nouveau dispositif IGBT basé sur un procédé semi-conducteur de dernière génération

Nouveau dispositif améliorant le rendement d’applications comme la compensation de facteur de puissance (PFC).

Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») a lancé un nouvel IGBT discret 650 V destiné aux circuits de correction du facteur de puissance (PFC) des climatiseurs, des appareils électroménagers, des alimentations d'équipements industriels, et autres équipements.

Le nouveau GT30J65MRB est un IGBT canal N 60 A en boîtier TO-3P(N), basé sur la technologie Toshiba de dernière génération à tranchée interne optimisée. Cela réduit considérablement les pertes de commutation, qui sont typiquement de 0,35 mJ à l’extinction (à 175ºC), soit plus de 40% de moins que les dispositifs de la génération précédente. Cette amélioration se reflète dans la tension directe de la diode intrinsèque, qui est typiquement de 1,20 V, ce qui améliore le rendement des équipements finaux.

Avec les IGBT de génération précédente, la fréquence opérationnelle de l'étage PFC des climatiseurs était limitée à 40 kHz. La réduction des pertes de commutation apportées par le GT30J65MRB permet de monter jusqu’à 60 kHz, ce qui améliore l'efficacité énergétique, tout en réduisant la taille et le poids des dispositifs passifs associés.

La demande de dispositifs de commutation à faibles pertes et fréquence de commutation accrue augmente compte tenu de l'utilisation croissante d’onduleurs dans les climatiseurs, et de la nécessité de réduire la consommation d'énergie des grosses alimentations électriques des équipements industriels. Toshiba va continuer d'étendre sa ligne de produits pour répondre aux tendances du marché et contribuer à améliorer le rendement des alimentations.

Pour plus d'informations, merci de visiter https://toshiba.semicon-storage.com/eu/semiconductor/product/igbts-iegts/igbts/detail.GT30J65MRB.html

www.global.toshiba.com

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