Toshiba présente des nouveaux MOSFET à canal P -60 V

Ces composants aident à réduire la consommation d'énergie dans les applications automobiles.

Toshiba Electronics annonce la disponibilité de deux nouveaux MOSFET à canal P -60 V basés sur leur procédé U-MOS VI. Cela permet d'élargir sa gamme de composants adaptés à une utilisation dans les applications automobiles telles que les commutateurs de charge, les relais à semi-conducteurs et les entraînements de moteur.

Ces nouveaux XPH8R316MC et XPH13016MC sont déjà qualifiés pour répondre à la norme de fiabilité automobile AEC-Q101. Dans ce cadre, ils sont logés dans un boîtier SOP Advance (WF) - un boîtier à montage en surface avec une structure terminale à flancs mouillables. Cela facilite l'inspection optique automatisée (automated optical inspection, AOI) des joints de soudure - la clé de la fiabilité dans les environnements automobiles difficiles. Un avantage supplémentaire est la connectivité en cuivre à l'intérieur du boîtier qui réduit la résistance du boîtier, améliore l'efficacité et restreint l'accumulation de chaleur.

Le XPH8R316MC est conçu pour un courant de drain continu (ID) de -90A et le XPH13016MC est prévu pour un ID de -60A. Le courant de drain pulsé (IDP) est le double de ces valeurs, respectivement -180A et -120A. Les deux composants sont conçus pour une tension drain-source (VDSS) de -60V et sont capables de fonctionner à des températures de canal (Tch) jusqu'à 175°C.

La résistance à l'état passant drain-source maximale (RDS(ON)) du XPH8R316MC est de 8,3mΩ, soit environ 25% de moins que le TPCA8123 déjà existant de Toshiba. Pour le XPH13016MC, la valeur est de 12,9mΩ, soit environ 49% de moins que le TPCA8125. Ces valeurs très réduites de RDS(ON) contribuent de manière significative à diminuer la consommation d'énergie dans les applications automobiles.

www.toshiba.com

  Demander plus d’information…