STMicroelectronics améliore les performances des interconnexions optiques dans les data centers et les clusters d'IA

STMicroelectronics dévoile sa nouvelle génération de technologies propriétaires pour des interconnexions optiques plus performantes pour data centers et clusters d’intelligence artificielle. Avec la croissance exponentielle des besoins en calcul de l’IA, des défis se posent en matière de performance et d’efficacité énergétique au niveau de la puissance de calcul, de la mémoire, de l’alimentation électrique et des interconnexions qui les relient. ST aide les hyperscalers1 et le fournisseur leader de modules optiques à relever ces défis grâce à des nouvelles générations de technologies photonique sur silicium et BiCMOS, dont la montée en production est prévue à partir du second semestre 2025 pour des modules optiques de 800 Gbps et 1,6 Tbps.

Au cœur des interconnexions d’un data center se trouvent des milliers, voire des centaines de milliers, d’émetteurs-récepteurs optiques. Ces composants convertissent les signaux optiques en signaux électriques et vice versa afin de permettre aux données de circuler entre les ressources de calcul des unités de traitement graphiques (GPU), les commutateurs et le stockage. À l’intérieur de ces émetteurs-récepteurs, la nouvelle technologie propriétaire photonique sur silicium (SiPho — Silicon Photonics) de ST permettra aux clients d’intégrer plusieurs composants complexes sur une seule puce, tandis que la technologie propriétaire BiCMOS de nouvelle génération de ST apporte une connectivité optique ultra-rapide et à faible consommation d’énergie, indispensable pour soutenir la croissance de l’IA.




« La demande en IA accélère l’adoption de technologies de communications à haut débit au sein de l’écosystème des data centers. Pour ST, c’est le bon moment pour introduire une nouvelle technologie photonique sur silicium économe en énergie et de la compléter avec une technologie BiCMOS de nouvelle génération afin de permettre à nos clients de concevoir la prochaine vague de produits d’interconnexion optique à 800 Gbps – 1,6 Tbps pour hyperscalers », a déclaré Rémi El-Ouazzane, Président du groupe Microcontrôleurs, Circuits intégrés numériques et Produits RF (MDRF), STMicroelectronics.

La technologie photonique sur silicium (SiPho) associée à la technologie BiCMOS de ST constitue une plateforme silicium en 300 mm sans équivalent pour servir le marché optique. Ces deux technologies en cours d’industrialisation seront fabriquées dans l’usine 300 mm dont dispose ST à Crolles (Isère).