L'amélioration de l'efficacité du couplage optique et de la stabilité du délai de propagation des photocoupleurs de commande de grille de Toshiba doit profiter aux applications opérant dans des environnements thermiques difficiles dans les secteurs de l’énergie verte et de l'automatisation industrielle.
Schaeffler intègre les MOSFET en carbure de silicium de la gamme EliteSiC d'Onsemi à son onduleur de traction pour sa plateforme de véhicules électriques hybrides rechargeables.
Kioxia Europe a commencé la livraisons d’échantillons des mémoires à cellules à trois niveaux (TLC, Triple-Level Cell) de 512 Gb qui mettent en œuvre sa technologie de mémoire flash BiCS FLASH 3D de 9e génération. Leur production en volume va démarrer au cours de l’exercice 2025.
STMicroelectronics va renforcer son offre de capteurs avec l’acquisition de l’activité capteurs MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) de NXP Semiconductors.
Le nouveau boîtier SOP Advance(E) des MOSFET de puissance de Toshiba permet de réduire la résistance à l'état passant et la résistance thermique afin d'améliorer l'efficacité des équipements industriels.
Les disques SSD de la série LC9 de Kioxia, qui offrent 245,76 To de capacité de stockage NVMe, sont conçus pour répondre aux besoins des environnements mettant en œuvre des outils d’IA générative. .
Microchip Technology noue avec Delta Electronics un accord de partenariat concernant les semiconducteurs en carbure de silicium (SiC) nécessaires aux systèmes de gestion de l’alimentation.