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'26
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Microchip News
12
'26
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Diodes Incorporated News
Le commutateur minimise la résistance à l'état passant
Le commutateur de charge Mosfet à canal N conforme aux normes automobiles de Diodes se distingue notamment par sa résistance à l'état passant drain-source maximale (RDS(ON)) d'à peine 8 mΩ.
12
'26
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Heico News
Exxelia fait l’acquisition de CalRamic
Exxelia, filiale d’Heico, acquiert le fabricant américain de condensateurs céramiques CalRamic Technologies.
12
'26
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Infineon News
Siemens et Infineon intègrent le carbure de silicium dans les disjoncteurs électroniques industriels
Infineon Technologies et Siemens ont annoncé un partenariat visant à faire évoluer les systèmes de protection électrique pour les centres de données, les infrastructures de production et les unités de stockage par batterie.
11
'26
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ONSEMI News
Les transistors à effet de champ tirent parti du nitrure de gallium
Onsemi propose des transistors à effet de champ en nitrure de gallium leur pemettant d'opérer à des fréquences de commutation élevées tout en minimisant les pertes de commutation parasites.
11
'26
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Anritsu News
Analyseur de réseaux vectoriels pour infrastructures de test hyperfréquences
Anritsu présente une plateforme d'analyse de réseaux pour la caractérisation de composants millimétriques et sub-térahertz.
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'26
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Toshiba News
Les MOSFET à clip en cuivre adoptent une conception sans plots internes
Toshiba lance une série de Mosfet de puissance à canal N de 40 volts utilisant un boîtier sans plots internes afin d’améliorer l’efficacité des semi-conducteurs automobiles.
10
'26
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Kontron News
La carte graphique au format VPX vise à accélérer le traitement de données critiques
Kontron propose une carte GPU VPX 3U disposant de capacités graphiques et de traitements de données répondant aux exigences des applications de la défense et de l'aérospatiale.
10
'26
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Mitsubishi Electric News
Le module de puissance adopte une architecture à trois niveaux
Mitsubishi et Semikron Danfoss Elektronik ont développé un nouveau boîtier standard pour les modules de semi-conducteurs de puissance dotés de circuits intégrés à 3 niveaux.
10
'26
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Rohm Semiconductors News
